1. 鈣硬度（Ca2?濃度）

• 影響：是形成碳酸鈣（CaCO?）、硫酸鈣（CaSO?）等常見水垢的主要陽離子；

• 選擇依據(jù)：鈣離子濃度越高，越需要高效分散型或螯合能力強的阻垢劑（如聚羧酸類、有機膦酸鹽）；

• 單位：通常以 mg/L（以 CaCO? 計）表示，>200 mg/L 屬高硬度水。

2. 總堿度（HCO??濃度）

• 影響：堿度高意味著水中碳酸氫根多，加熱或pH升高時易轉(zhuǎn)化為 CO?2?，與 Ca2? 結(jié)合成 CaCO? 垢；

• 選擇依據(jù)：高堿度水需選用對碳酸鈣抑制能力強的阻垢劑（如 HEDP、PBTC 或復(fù)合配方）；

• 注意：Langelier 飽和指數(shù)（LSI）常用于評估 CaCO? 結(jié)垢傾向，LSI > 0 表示有結(jié)垢風險。

3. pH 值

• 影響：

• pH > 8.5 時，HCO?? 轉(zhuǎn)化為 CO?2?，加速 CaCO? 沉淀；

• pH > 9.5 時，可能析出 Mg(OH)?；

• 高 pH 還會降低某些阻垢劑（如聚丙烯酸）的分散效果；

• 選擇依據(jù)：高 pH 系統(tǒng)應(yīng)選用耐堿性好的阻垢劑（如 PBTC、膦羧酸共聚物）。

4. 硫酸根（SO?2?）

• 影響：與 Ca2? 結(jié)合生成 CaSO? 垢（尤其在反滲透濃水側(cè)或高溫蒸發(fā)器中）；

• 選擇依據(jù)：當 [Ca2?] × [SO?2?] 接近或超過溶度積時，需使用對硫酸鈣有的阻垢劑（如專用 RO 阻垢劑含磺酸基團聚合物）。

5. 二氧化硅（SiO?）

• 影響：硅在 pH > 8 或高溫下易聚合形成難溶硅垢（如硅酸鈣、硅酸鎂），極難清除；

• 選擇依據(jù)：

• SiO? > 150 mg/L 時需特別關(guān)注；

• 應(yīng)選用含硅分散劑的復(fù)合阻垢劑（如含馬來酸-丙烯酸共聚物）；

• 反滲透系統(tǒng)中通常要求濃水側(cè) SiO? < 240 mg/L。

6. 鐵（Fe2?/Fe3?）

• 影響：鐵離子可催化氧化、形成氫氧化鐵膠體，并與磷酸鹽或有機物結(jié)合成污垢；

• 選擇依據(jù)：含鐵水需選用具有鐵分散/穩(wěn)定功能的阻垢劑（如含膦羧酸或特殊聚合物），避免使用易與鐵絡(luò)合沉淀的藥劑。

7. 磷酸鹽（PO?3?）

• 影響：來自補充水或添加的緩蝕劑，易與 Ca2? 形成磷酸鈣垢（Ca?(PO?)?）；

• 選擇依據(jù)：高磷系統(tǒng)需阻垢劑具備強磷酸鈣抑制能力（如 ATMP、HEDP 或多元共聚物）。

8. 總?cè)芙夤腆w（TDS）與濃縮倍數(shù)

• 影響：TDS 越高，離子濃度越大，結(jié)垢風險越高；循環(huán)水系統(tǒng)中濃縮倍數(shù)越高，結(jié)垢離子被富集；

• 選擇依據(jù)：高 TDS 或高濃縮倍數(shù)（>5 倍）系統(tǒng)需更高劑量或更強效的復(fù)合阻垢劑。

9. 濁度與懸浮物

• 影響：雖不直接導(dǎo)致化學結(jié)垢，但顆粒物可成為晶核，加速垢沉積；

• 選擇依據(jù)：高濁度水需阻垢劑兼具良好分散性能，防止“垢+泥"復(fù)合污堵。

10. 溫度

• 影響：溫度升高顯著加快結(jié)垢反應(yīng)速率（如 CaCO? 在 60℃ 以上極易析出）；

• 選擇依據(jù)：高溫系統(tǒng)（如換熱器、蒸發(fā)器）應(yīng)選用熱穩(wěn)定性好的阻垢劑（如 PBTC、聚天冬氨酸）。

總結(jié)：阻垢劑選型的關(guān)鍵步驟

1. 全面水質(zhì)分析：至少包括 Ca2?、Mg2?、HCO??、SO?2?、SiO?、Fe、PO?3?、pH、TDS；

2. 計算結(jié)垢傾向：如 LSI（碳酸鈣）、S&DSI（硫酸鈣）、硅飽和指數(shù)；

3. 明確系統(tǒng)工況：溫度、壓力、流速、回收率（RO）、濃縮倍數(shù)（循環(huán)水）；

4. 匹配阻垢劑類型：

• 高鈣高堿 → 有機膦酸 + 聚合物復(fù)合型；

• 高硅 → 含硅分散劑配方；

• 高硫酸根 → 磺酸類共聚物；

• 高溫高 pH → PBTC 或聚天冬氨酸類。